2015年8月11日，韩国首尔讯—— 全球存储领军品牌三星电子今日宣布 ,已开始正式量产业界首款可应用于固态硬盘(SSD)中的48层3bit MLC 256Gb 3D V-NAND闪存芯片。

三星电子存储芯片事业部全永铉总裁指出：“我们面向全球市场推出第三代三维V-NAND闪存， 以更好性能、更节能和更高生产效率的非常先进存储器解决方案，来加速SSD市场向高性能、高密度化方向发展。”“通过充分利用三星电子在V-NAND闪存方面的独特优势，我们将在企业、数据中心市场及消费市场扩展高端业务，持续加强大众对我们SSD产品线的关注。”

与容量为128Gb的传统NAND相比，三星电子此次量产的新一代256Gb 3D V-NAND闪存芯片密度实现翻倍增长。除了在单芯片上支持存储容量高达32Gigabytes(256Gb)之外，新的芯片还能轻松地翻倍提升三星电子现有SSD的存储容量，为TB级SSD提供理想的解决方案。

在2014年8月推出第二代32层3bit MLC V-NAND闪存之后，三星电子在本月随即发布第三代 48层3bit MLC V-NAND闪充闪存芯片 ,并将持续引领3D存储时代。

在新一代V-NAND闪存中，每个单元都采用相同的3D Charge Trap Flash(简称CTF)结构设计，每片芯片存储单元阵列垂直堆叠48层，利用其特殊的蚀刻技术，通过18亿个通道孔在阵列上实现电子互连。每个芯片共包含853亿个单元。单个存储单元容量为3bit，一共能存储2,560亿位的数据，换句话说，就是一个不超过手指尖大小的芯片能存储256Gb数据。

与32层3bit MLC 128Gb V-NAND闪存相比，当存储相同容量的数据时，一个48层3bit MLC 256Gb 3D V-NAND闪存功耗能减少30%。在量产阶段，相对于之前推出的32层3D V-NAND闪存而言，新型芯片可将生产效率提升约40%， 在继续使用现有设备的同时，大大提升了SSD市场的成本竞争力。

在2015年接下来的时间内，三星电子计划继续生产第三代 V-NAND闪存，以加速推广TB级SSD的市场普及率。目前三星电子正在计划面向消费者推出2TB级甚至更高容量、更高密度的SSD，还将计划采用业界领先的 PCIe(NVMe)接口和SAS接口的产品来提升面向企业级用户和数据中心存储市场的高密度SSD的市场销量。

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